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| 二次電子圖象分辨率 | 3.9 nm @ 20 kV(SE) | 放大倍數(shù) | 1 x~300,000 x |
| 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器(ETD) | 背散射電子圖像分辨率 | 4.5 nm @ 20 kV(BSE) |
| 加速電壓 | 0.5 kV~20 kV | 電子槍種類(lèi) | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 |
國(guó)儀量子電鏡團(tuán)隊(duì)針對(duì)這一痛點(diǎn)
以“人人都敢用,人人都能用”的目標(biāo)打造了
“操作不挑人,簡(jiǎn)約不簡(jiǎn)單”的
鎢燈絲掃描電鏡SEM2000
SEM2000是一款基礎(chǔ)款的多功能分析性鎢燈絲掃描電鏡。20?kV分辨率可以做到3.9?nm,支持升級(jí)30?kV電壓,可觀察亞微級(jí)尺度樣品的微觀結(jié)構(gòu)信息。擁有比臺(tái)式電鏡更大的移動(dòng)范圍,適用于快速篩選待測(cè)樣品,更多的擴(kuò)展接口,可搭載BSED、EDS等附件,使應(yīng)用領(lǐng)域更廣。
分辨率 3.9 nm @ 20 kV
加速電壓 0.5~20 kV
(30 kV可選)
放大倍數(shù) 1~300,000x
產(chǎn)品參數(shù)
| 電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍類(lèi)型 | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍 |
| 分辨率 | 3.9 nm @ 20 kV(SE) | |
| 4.5 nm @ 20 kV(BSE) | ||
| 放大倍率 | 1 x~300,000 x | |
| 加速電壓 | 0.5 kV~20 kV | |
| 成像系統(tǒng) | 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器(ETD) |
| *背散射電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等 | ||
| 圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |
| 真空系統(tǒng) | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa |
| 控制方式 | 全自動(dòng)控制 | |
| 泵 | 機(jī)械泵×1,分子泵×1 | |
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學(xué)導(dǎo)航 |
| 樣品臺(tái)配置 | 兩軸自動(dòng) | |
| 行程 | X: 100 mm | |
| Y: 100 mm | ||
| 軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 |
| 操作系統(tǒng) | Windows | |
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航 | |
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 | |
| 特色功能 | 智能輔助消像散、大圖拼接(選配軟件) | |
| 安裝要求 | 房間 | 長(zhǎng) ≥ 3000 mm,寬 ≥ 4000 mm,高 ≥ 2300 mm |
| 溫度 | 20 ℃~25 ℃ | |
| 濕度 | ≤ 50 % | |
| 電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |
產(chǎn)品特點(diǎn)
簡(jiǎn)潔的操作界面

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純中文的操作界面
功能設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單易操作。符合國(guó)人使用習(xí)慣,即使是新手用戶(hù),簡(jiǎn)單了解后也能快速上手。
完善的自動(dòng)化功能
自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散,均可一鍵調(diào)節(jié),提高工作效率。
豐富的測(cè)量工具
長(zhǎng)度、面積、圓度、角度等測(cè)量功能強(qiáng)大的照片管理和預(yù)覽、編輯功能。
特色功能
光學(xué)導(dǎo)航
想看哪里點(diǎn)哪里,導(dǎo)航更輕松
標(biāo)配光學(xué)導(dǎo)航攝像頭,可拍攝高清樣品臺(tái)照片,快速定位樣品。

防撞設(shè)計(jì)
對(duì)新手更友好的防碰撞設(shè)計(jì),最大限度保護(hù)敏感單元。

一鍵成像
*軟件一鍵成像,新手也能輕松駕馭。

分析距離
最佳分析距離和成像距離二合一,輕松體驗(yàn)優(yōu)質(zhì)性能。

多種信息同時(shí)成像

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SEM2000軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像??赏瑫r(shí)觀察到樣品的形貌信息和成分信息。
分辨率指標(biāo)


SE:3.9 nm @20 kV


BSE:4.5 nm @ 20 kV
豐富的擴(kuò)展性
高靈敏度背散射探測(cè)器
· 多通道成像
探測(cè)器設(shè)計(jì)精巧,靈敏度高,采用4分割設(shè)計(jì),無(wú)需傾斜樣品,可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。

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四個(gè)單通道的陰影像
成分像
· 二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比
背散射電子成像模式下,荷電效應(yīng)明顯減弱,并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。

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鐵礦石-(SE)
鐵礦石-(BSE)
能譜
金屬夾雜物能譜面掃分析結(jié)果。

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電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大,完全滿足高分辨EBSD的測(cè)試需求,能夠?qū)饘?、陶瓷、礦物等多晶材料進(jìn)行晶體取向標(biāo)定以及晶粒度大小等分析。 該圖為Ni金屬標(biāo)樣的EBSD反極圖,能夠識(shí)別晶粒大小和取向,判斷晶界和孿晶,對(duì)材料組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行精確判斷。

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應(yīng)用案例

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新米胚乳淀粉顆粒顯微結(jié)構(gòu)
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×5000

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鹽
加速電壓:1 kV / 放大倍率:×2000

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纖維截面
加速電壓:7 kV / 放大倍率:×1000

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高分子透鏡陣列
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×200

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載催化劑鎳網(wǎng)
加速電壓:20 kV / 放大倍率:×200

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仲鎢酸銨
加速電壓:5 kV / 放大倍率:×1000

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MnS夾雜
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×500

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金屬斷口
加速電壓:20 kV / 放大倍率:×200

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負(fù)極碳包硅
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×3000

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干法拉伸薄膜
加速電壓:3 kV / 放大倍率:×5000

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磷酸鐵鋰
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×5000

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鈷酸鋰
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×5000

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PCB板
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×100

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PCB板(車(chē)燈)
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×100

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銅箔生箔
加速電壓:10 kV / 放大倍率:×10000

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芯片
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×500

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紅翅鶴頂粉蝶
加速電壓:3 kV / 放大倍率:×5000

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密蒙花中藥顆粒
加速電壓:3 kV / 放大倍率:×2000

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槲寄生中藥原粉
加速電壓:3 kV / 放大倍率:×2000

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片球菌屬
加速電壓:15 kV / 放大倍率:×30000
國(guó)儀量子SEM2000鎢燈絲掃描電鏡 應(yīng)用磷酸鐵鋰,SEM2000
國(guó)儀量子SEM2000鎢燈絲掃描電鏡 應(yīng)用磷酸鐵鋰信息由北京國(guó)儀精測(cè)技術(shù)有限公司為您提供,如您想了解更多關(guān)于國(guó)儀量子SEM2000鎢燈絲掃描電鏡 應(yīng)用磷酸鐵鋰報(bào)價(jià)、型號(hào)、參數(shù)等信息,歡迎來(lái)電或留言咨詢(xún)。
注:該產(chǎn)品未在中華人民共和國(guó)食品藥品監(jiān)督管理部門(mén)申請(qǐng)醫(yī)療器械注冊(cè)和備案,不可用于臨床診斷或治療等相關(guān)用途