砷化銦

應(yīng)用制備 用途與合成方法 MSDS 砷化銦價(jià)格(試劑級(jí)) 上下游產(chǎn)品信息 專題

中文名稱	砷化銦
中文同義詞	砷化銦;砷化銦, 99% (METALS BASIS);砷化銦, 99.9999% (METALS BASIS);砷化銦(INAS;4N砷化銦;99.99%砷化銦;5N砷化銦;99.999%砷化銦
英文名稱	INDIUM ARSENIDE
英文同義詞	Arsinetriylindium(III);indiganylidynearsane;INDIUM ARSENIDE;Indium arsenide, 99.9999% trace metals basis;Indium arsenide, Hardly attacked by mineral acids;indiamarsenide;indiumarsenide(inas);99.9999%(metalsbasis)
CAS號(hào)	1303-11-3
分子式	AsIn
分子量	189.74
EINECS號(hào)	215-115-3
相關(guān)類(lèi)別	有機(jī)和印刷電子學(xué);基質(zhì)和電極材料;Inorganics
Mol文件	1303-11-3.mol
結(jié)構(gòu)式

砷化銦 性質(zhì)

砷化銦 用途與合成方法

應(yīng)用

砷化銦是一種難于純化的半導(dǎo)體材料。利用砷化銦-銦鋁砷疊層點(diǎn)制備砷化銦納米環(huán)以及制備一種帶勢(shì)壘層結(jié)構(gòu)的砷化銦熱光伏電池。

制備

一種高效制備高純砷化銦的方法，該方法是采用氣相沉積法，在氬氣保護(hù)下分別將三氯化銦和三氯化砷在揮發(fā)室中加熱揮發(fā)成蒸汽，通過(guò)噴嘴噴入反應(yīng)室反應(yīng)，氣相沉積生成砷化銦晶體；具體步驟如下： (1)以氬氣為保護(hù)氣體，將三氯化銦和三氯化砷按摩爾質(zhì)量比為1：1～1.5：1取料，分別置于第一揮發(fā)室1和第二揮發(fā)室2中，300～900℃條件下?lián)]發(fā)0.5h～12h，使兩種物料都處于蒸汽狀態(tài)； (2)通過(guò)噴嘴將兩個(gè)揮發(fā)室中的三氯化銦和三氯化砷蒸汽分別通過(guò)第一噴嘴4和第二噴嘴5同時(shí)噴入一個(gè)鈦材制做的反應(yīng)室3內(nèi)，在300～900℃條件下反應(yīng)2h～5h，氣相沉積得到沉積物；剩余揮發(fā)氣體在常溫下加壓至600～700kPa或在常壓下冷卻到-34℃得到液氯； (3)將所得沉積物加熱揮發(fā)2h～12h，加熱溫度為300～900℃、壓強(qiáng)為0.5～100KPa，除去殘余的氯，冷卻，得到純度大于99.9％的橘黃色的晶體砷化銦。 所述第一揮發(fā)室1和第二揮發(fā)室2可采用現(xiàn)有技術(shù)的金屬加熱揮發(fā)設(shè)備，如側(cè)吹式電爐，在電爐的風(fēng)眼連接對(duì)向反應(yīng)室的噴嘴。反應(yīng)室也可以采用電加熱爐，氣相沉積得到沉積物；剩余揮發(fā)氣體引出反應(yīng)室，在常溫下加壓至600～700kPa或在常壓下冷卻到-34℃得到液氯。

用途 

用作電子、光學(xué)材料、催化劑等

生產(chǎn)方法 

砷化銦的合成與砷化鎵相同，也使用雙管電爐。先往一端封閉的石英安瓿中送入裝有銦的石英盤(pán)，然后加入砷，在5×10-6Torr(1Torr=133.322Pa)下，真空封口。把這個(gè)安瓿裝銦的部分加熱到955℃，裝砷的部分加熱到560℃。這時(shí)砷的蒸氣壓約為33kPa。

砷在蒸氣狀態(tài)下，與加熱到955℃的銦反應(yīng)，生成InAs。經(jīng)5～6h后將安瓿從A爐中取出。從盤(pán)的前端生成InAs單晶。

安全信息

MSDS信息

砷化銦 價(jià)格(試劑級(jí))

砷化銦 上下游產(chǎn)品信息

上游原料

砷